三星電子（Samsung Electronics Co.）近期在半導體業界再度引發關注，公佈了最新的製程技術發展計劃，聚焦於2奈米製程技術和晶背供電技術（Backside Power Delivery，BSPDN）。三星宣布其改進的2奈米製程技術SF2Z將於2027年投入量產，此技術的晶片將具備更優異的效能及功耗表現，為全球AI晶片的生產提供關鍵支持。
半導體產業佈局：強化AI晶片競爭力
2023年5月，三星任命了新的半導體業務主管，旨在提升該公司在尖端晶片領域的競爭力。根據《路透社》及三星的新聞稿，該公司計劃為客戶提供一站式的AI晶片生產解決方案，預期能顯著縮短生產週期，並進一步擴大其在記憶體、晶圓代工和晶片封裝等領域的領先地位。
報導指出，藉由整合多元服務，三星的AI晶片生產時間可能縮短約20%。在人工智慧需求強勁的驅動下，三星預計至2028年全球晶片產業收入將增長至7780億美元。三星晶圓代工業務總裁崔始榮（Siyoung Choi）表示，此一增長將為AI晶片的快速發展奠定堅實基礎。
三星先進製程2奈米技術：晶背供電與GAA技術
在2024年6月13日的公告中，三星揭示了其2奈米製程技術的最新進展。此製程技術代號為SF2Z，運用了晶背供電技術（BSPDN），藉由將電源軌道設置於晶圓背面，來解決電源與信號線之間的瓶頸問題，進而提升晶片的功率、性能和面積（PPA）指標。與此前的SF2製程相比，SF2Z在高效能運算設計上表現更為出色，預計2027年正式投入量產。
同時，三星也確認了其高價值4奈米製程（SF4U）將於2025年投入量產。此外，三星也宣布其1.4奈米製程（SF1.4）的開發進展順利，並計劃於2027年實現量產。這一系列技術更新標誌著三星在尖端製程技術方面的重要進展，尤其是在人工智慧和高效能運算等領域的應用前景。
BSPDN技術：次世代半導體製程的核心
三星的BSPDN技術被認為是次世代晶片製造的重要突破之一。根據三星晶圓代工製程設計套件（PDK）研發團隊副總裁李成宰（Lee Sungjae）在2024年《西門子EDA論壇》上的主題演說，該技術能夠使晶片尺寸縮小17%，並分別提升8%的效能和15%的功耗表現。這項技術的引入將大幅改善高效能計算（HPC）設計的穩定性和效能。
值得注意的是，英特爾（Intel）也計劃在2024年量產的Intel 20A製程中採用類似的技術，即「PowerVia」技術。台積電（TSMC）則計劃於2025年末開始導入BSPDN技術，應用於1.6奈米以下製程。
全球晶圓代工市場的競爭格局
三星在最新的製程技術發展路線圖中，再次強調了2奈米及更先進製程的演進計劃。根據三星發佈的數據，SF2Z製程技術不僅提升了晶片的PPA指標，還解決了晶片設計中長期存在的電壓下降（IR drop）問題。與此同時，三星1.4奈米製程的推出也標誌著該公司在先進製程技術競爭中的重要一步。
與其他競爭對手相比，三星的製程技術發展路線圖顯示其在製造節點上與台積電和英特爾處於相似水平。然而，隨著市場對晶片設計效率及穩定性的需求日益增長，各大晶圓代工廠商將在製程技術、功率管理和性能提升等方面展開更加激烈的競爭。
AI晶片需求的持續增長
三星的2奈米製程技術和BSPDN技術將成為推動全球半導體市場的重要力量。隨著新技術的逐步落地，三星將能夠在未來數年內進一步鞏固其在全球晶圓代工市場的領先地位。同時，台積電與英特爾的技術競爭也將推動全球半導體產業的創新發展。
三星表明，隨著晶片製造技術的進步，AI晶片的生產效率將得到顯著提升，為未來高效能運算及人工智慧應用提供強大的技術支持。未來幾年內，隨著新技術的引入和應用，全球晶片製造業將進入一個全新的發展階段，帶來更多創新機遇和挑戰。
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